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高通联合三星海力士布局HBC芯片 首代产品明年商用

CNMO 【原创】 作者:陈俊志 2026-08-27 16:13
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  【CNMO科技消息】8月27日,据韩媒报道,高通全球副总裁Durga Malladi在当地时间26日举行的“德意志银行科技大会2026”上透露,高通正与三星电子及SK海力士两家存储巨头展开紧密合作,共同推进高带宽计算(HBC,High Bandwidth Compute)芯片的商业化量产。

高通
高通

  HBC被视为解决当前AI算力瓶颈与功耗难题的新一代方案。与当前将GPU与HBM(高带宽内存)进行水平连接的传统设计不同,HBC属于近NMC(内存计算)技术,它利用TSV(硅通孔)工艺,将多片低功耗DRAM芯片垂直堆叠并直接布置在XPU(加速器芯片)之上。高通曾在今年6月指出,传统的GPU与HBM在频繁数据交换中会产生巨大热量与能耗,而HBC正是为了弥补这一结构性缺陷而生。

高通HBC架构
高通HBC架构

  在这一合作中,三方形成了明确的产业分工:高通主要负责底层运算芯片的研发与TSV设计方案;三星电子与SK海力士负责上层DRAM芯片的堆叠工艺;最终的技术模块整合与封装则交由台积电完成。

  关于产品的落地节奏,Durga Malladi表示,第一代HBC产品计划在2027年正式商用上市,目前已进入实验室验证阶段。

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