【CNMO科技消息】8月25日，据韩媒报道，在此前举行的“Hot Chips 2026”前沿计算架构大会上，三星与SK海力士分别公布了下一代高带宽内存（HBM）的技术路线图。随着人工智能算力对数据吞吐与能效要求的持续攀升，两家存储巨头在下一代HBM的布局上展现出差异化的突破方向，分别聚焦于基底芯片（Base Die）架构革新与超高层先进封装。
三星（左） SK海力士（右）
三星将重心放在了基础底模的功能拓展上。三星计划将原本由GPU承担的内存控制器等部分功能迁移至HBM基底芯片，以此释放GPU芯片面积用于扩充计算核心，预计可实现10%至20%的性能提升。同时，三星提出了可在基底芯片直接处理部分AI运算的“aHBM”方案，以大幅减少芯片间的数据搬运和功耗开销。在长远规划中，三星还展示了GPU与DRAM垂直三维互联的“zHBM”构想，预计相比HBM5可降低约70%的DRAM功耗，传输速率提升2.3倍。
zHBM
SK海力士则围绕超高层堆叠与散热封装展开技术攻坚。SK海力士在会上明确宣布，适配英伟达下一代AI加速器“Vera Rubin”的12层堆叠HBM4产品目前已处于量产阶段，16层堆叠规格也已正式进入客户验证环节。面向未来20层以上的超高堆叠需求，SK海力士提出了混合键合（Hybrid Bonding）工艺，该技术通过取消传统凸块和填充材料，实现芯片直接连接，从而缩小芯片间距。对于发热过高的问题，其还公布了内置专属导热通道的“iHBM”散热方案，可将热阻降低30%以上。
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