【CNMO科技消息】长鑫存储于7月16日启动科创板申购,拟募资579亿元人民币,资金将投向下一代G5工艺节点、HBM3研发及新增产能建设。结合最新行业预测,研究机构Counterpoint Research预计到2028年,长鑫存储在全球DRAM市场的比特份额将提升至11%,营收份额约为9%。
据CNMO科技了解,按照每股8.66元发行价测算,长鑫存储上市估值约为800亿至850亿美元。研究机构认为,长鑫存储的长期目标是进入全球DRAM“三强”阵营,而要成为真正具有战略影响力的参与者,市场份额需进一步提升。作为观察指标之一,15%的市场份额被视为能否支撑新晶圆厂资本开支的重要门槛。
产能方面,长鑫存储计划到2030年实现产能翻倍,并在2035年达到当前的三倍。短期内,公司将通过上海、北京新建晶圆厂以及合肥产业集群扩产,将月产能从目前约32万片晶圆提升至2027年的42万片。产品结构也将继续向高端升级,LPDDR5和DDR5占比预计接近总产量的75%,面向PC和服务器市场的DRAM产品已开始进入全球OEM客户供应链。
在新业务方面,HBM被视为后续增长的重要变量。机构预计,若长鑫存储能够实现12层堆叠HBM3的大规模量产,并推动相关客户导入,到2028年HBM收入有望达到约20亿美元。不过,HBM尚未大规模量产、美国出口管制持续收紧等因素,仍给其成长路径带来不确定性。
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